闪存速度
推荐
闪存型号
K9DMGB8S7C
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
8
闪存ID
EC1CC91F74C8
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV3
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
闪存型号
K9DMGB8S7C
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
8
闪存ID
EC1CC91F74C8
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV3
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NW779
K9GCGD8U0A
PFF84
PFG62
89D3AC32C600
SDTNQFAMA_008G
JS29F64G08ACMF3
NW651
PF254
PFH03
NQ303
NX619
NQ429
H27QFGDYEB
K9BDG08U1M
NW281
FXXL95B91KDK
THGBX2G9D8JLA01
K9UHGY8U7A
NX691
PF224
K9PDG08U5D
PFF59
H27QCG8D2F
NX699
K9OKGY8S7E
FBML85C71KDBAB_HP
NW318
NX406
FX219
PFB61
PF390
NW551
PF034
NX601
PF032
FW256
FX269
NX839
K9CHGY8S5M
PFF73
PF755
NW102
PF29F32B2ALCMG3
NX757
TH58TEG9D2JBAS9
NX238
NX556
NX435