闪存速度

推荐

闪存型号
K9GCGD8U0C

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
8GB

CE数量
1

闪存ID
ECDEA43268C5

闪存单元
MLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP48

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
1

闪存型号
K9GCGD8U0C

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
8GB

CE数量
1

闪存ID
ECDEA43268C5

闪存单元
MLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP48

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
1