闪存速度
推荐
闪存型号
NW234
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
闪存型号
NW234
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NW659
K9WCGD8S5M
PF688
NX382
JS29F16B08CAME1
TH58TFG8DFKBA4K
NX185
PF258
PF412
PF775
NX741
NX388
PF179
NX425
TB8AG5OASN
SDWNRHBRG_032GUF
TC58TEG6DDJTAI0
JS29F16B08CAMF1
NX692
NW521
NX378
PF224
NW365
PFG38
PFB63
JS29F01T2ALCQK1
PF29F48B2ALCTG2
TH58TEG8TDKTA20
PF29F08T2AYCTH1
MT29F64G08CBCGB
PF29F32B08NCMFP
K9AFGD8J0C
H27QEG8VEE8R
NX762
PF036
PF597
H27UCG8V5ATR
CA7AG64A0A
NW628
H9DA4GH4JJAM
FW255
PFF32
PFB72
NW583
NW784
NW342
NW745
NW987
PFG59
NX874