闪存速度

推荐

闪存型号
NW234

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID
2C4800268900

闪存单元
SLC

闪存制程
M62B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2

美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B

闪存型号
NW234

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID
2C4800268900

闪存单元
SLC

闪存制程
M62B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2

美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B