闪存速度

推荐

闪存型号
K9PMGY8J7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
EC5C94D364CB

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8

闪存型号
K9PMGY8J7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
EC5C94D364CB

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8