闪存速度

推荐

闪存型号
NX414

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
2CA805CBA900

闪存单元
MLC

闪存制程
25nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29F512G08CUCABK4-10ES:A

闪存型号
NX414

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
2CA805CBA900

闪存单元
MLC

闪存制程
25nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29F512G08CUCABK4-10ES:A