闪存速度

推荐

闪存型号
K9UUGB8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
8

闪存ID
EC1CD55368C9

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
16

闪存型号
K9UUGB8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
8

闪存ID
EC1CD55368C9

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
16