闪存速度

推荐

闪存型号
K9DVGB8J1B

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
1TB

CE数量
2

闪存ID
EC52DBAF8ECD

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV6

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16

闪存型号
K9DVGB8J1B

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
1TB

CE数量
2

闪存ID
EC52DBAF8ECD

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV6

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16