闪存速度

推荐

闪存型号
K9LCG08U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
8GB

CE数量
2

闪存ID
ECD794724600

闪存单元
MLC

闪存制程
35nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
2

闪存型号
K9LCG08U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
8GB

CE数量
2

闪存ID
ECD794724600

闪存单元
MLC

闪存制程
35nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
2