闪存速度

推荐

闪存型号
H27UBG8T2B

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ADD794DA74C3

闪存单元
MLC

闪存制程
26nm

闪存类型
NAND

封装类型

工作电压
Vcc: 3.3V, VccQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1

闪存型号
H27UBG8T2B

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ADD794DA74C3

闪存单元
MLC

闪存制程
26nm

闪存类型
NAND

封装类型

工作电压
Vcc: 3.3V, VccQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1