闪存速度

推荐

闪存型号
NW994

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
2CD3F932EA10

闪存单元
TLC

闪存制程
B37R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
异步模式(ONFI)

Die数量
8

美光料号
MT29F4T08EQLDEG8-QA:D

闪存型号
NW994

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
2CD3F932EA10

闪存单元
TLC

闪存制程
B37R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
异步模式(ONFI)

Die数量
8

美光料号
MT29F4T08EQLDEG8-QA:D