NY133-Micron/镁光-2CC30832EA30 Flashinfo

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闪存型号

NY133

闪存品牌

Micron/镁光

闪存容量

256GB

CE数量

4

闪存ID

2CC30832EA30

闪存单元

3D TLC

闪存制程

B47R

闪存类型

NAND

封装类型

BGA132

工作电压

VCC2.5V VCC.1.2V

工作模式

同步模式

Die数量

8

美光料号

MT29F2T08EMLEEJ4

闪存型号

NY133

闪存品牌

Micron/镁光

闪存容量

256GB

CE数量

4

闪存ID

2CC30832EA30

闪存单元

3D TLC

闪存制程

B47R

闪存类型

NAND

封装类型

BGA132

工作电压

VCC2.5V VCC.1.2V

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