闪存速度
推荐
闪存型号
NY133
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:2.5V, VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
美光料号
MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E
闪存型号
NY133
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:2.5V, VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
美光料号
MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NQ312
PFE21
PF051
TH58TFG8DFKBA4K
NW410
NX465
NW210
PFF04
NQ301
PF538
PFF51
TC58TEG7THLTA00
TC58NVG6T7FLA19
NQ309
H27QDG8UDA5R
29F48B2ALCTG2
SDTNOQAHER_008G
29F64G08AAMF1
MT29F128G08CECAB
PF862
H27QFG8YHE
PF422
TH58LKT0V2MBS8C
NQ460
PF782
05561-512G
FX258
PF29F16G16MCNC1
PF749
NQ379
15150-128G
PFB69
PF989
PFG43
K9AAGD8U0B
PF235
TH58TEG7DDJTAK0
NX602
PF318
NX835
NW708
MT29F256G08CMEDB
TH58TEG7DDJTA20
THGBMBG9D8KBAIG
PF400
PF686
KLUDG4U1EA
PF201
PF563
NX237