闪存速度
推荐
闪存型号
NY133
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:2.5V, VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
美光料号
MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E
闪存型号
NY133
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
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NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:2.5V, VCCQ:1.2V
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