闪存速度

推荐

闪存型号
NX489

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
2C84E53CA504

闪存单元
MLC

闪存制程
20nm L84C

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29F512G08CUCDBJ6-6QES:D

闪存型号
NX489

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
2C84E53CA504

闪存单元
MLC

闪存制程
20nm L84C

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29F512G08CUCDBJ6-6QES:D