闪存速度

推荐

闪存型号
K9CHGY8S5M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
EC1AA8DE88C5

闪存单元
TLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4

闪存型号
K9CHGY8S5M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
EC1AA8DE88C5

闪存单元
TLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4