闪存速度

推荐

闪存型号
K9PHGY8S7D

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
8

闪存ID
ECDE94F3A4C6

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA88/BGA108/BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

闪存型号
K9PHGY8S7D

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
8

闪存ID
ECDE94F3A4C6

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA88/BGA108/BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8