闪存速度

推荐

闪存型号
TH58TFT1T23BAEF

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
983C98B376F2

闪存单元
TLC

闪存制程
BICS3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:3.3V/1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8

闪存型号
TH58TFT1T23BAEF

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
983C98B376F2

闪存单元
TLC

闪存制程
BICS3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:3.3V/1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8