闪存速度

推荐

闪存型号
K9GAG08U0E

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
2GB

CE数量
1

闪存ID
ECD584725042

闪存单元
MLC

闪存制程
32nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1

闪存型号
K9GAG08U0E

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
2GB

CE数量
1

闪存ID
ECD584725042

闪存单元
MLC

闪存制程
32nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1