闪存速度

推荐

闪存型号
NW858

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
192GB

CE数量
4

闪存ID
2CB47832AA05

闪存单元
TLC

闪存制程
B0KB

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ:1.2V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4

美光料号
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

闪存型号
NW858

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
192GB

CE数量
4

闪存ID
2CB47832AA05

闪存单元
TLC

闪存制程
B0KB

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ:1.2V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4

美光料号
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B