闪存速度
推荐
闪存型号
K9XVGB8J1M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
1TB
CE数量
2
闪存ID
闪存单元
QLC
闪存制程
SSV5
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式(Toggle)
Die数量
16
闪存型号
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闪存品牌
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闪存容量
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CE数量
2
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闪存制程
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封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
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