闪存速度

推荐

闪存型号
K9XVGB8J1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
1TB

CE数量
2

闪存ID

闪存单元
QLC

闪存制程
SSV5

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
16

闪存型号
K9XVGB8J1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
1TB

CE数量
2

闪存ID

闪存单元
QLC

闪存制程
SSV5

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
16