闪存速度
推荐
闪存型号
H27Q2T8CQB3R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A
闪存单元
MLC
闪存制程
16nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
闪存型号
H27Q2T8CQB3R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A
闪存单元
MLC
闪存制程
16nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NQ311
NW933
PF894
NQ272
NX784
PF531
NW970
NX625
MT29F16G08ABABA
NW406
PF418
NQ303
NQ427
PF612
NX691
PF346
60303-064G
MT29F256G08AUCDB
PF582
K9OKGY8S7E
NW839
PFA03
PF105
H27QDG8M2B
H27UDG8V5A
PF150
K9BCG08U1A
NX163
NW398
PF078
MT29H32G08GCA
PF153
NQ299
TH58TAG8D2FBA89
NW704
SDUNCIAMA-032G
PF514
NW508
TC58NVG4D2FTA00
TH58TEG7DBHBAMC
PF836
K9GAG08U0D
NX153
JS29F64G08ACME3
NW184
PFB37
NX279
NW266
PF29F64B08NCMF2
PF442