闪存速度

推荐

闪存型号
H27Q2T8CQB3R

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16

闪存型号
H27Q2T8CQB3R

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16