闪存速度
推荐
闪存型号
H25BFTMG4B9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
1TB
CE数量
2
闪存ID
AD7E2A5302B0
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV7
闪存类型
NAND
封装类型
BGA512
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V/1.2V
工作模式
Toggle
Die数量
4
闪存型号
H25BFTMG4B9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
1TB
CE数量
2
闪存ID
AD7E2A5302B0
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV7
闪存类型
NAND
封装类型
BGA512
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V/1.2V
工作模式
Toggle
Die数量
4
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PFF80
PF606
05448-064G
K9F5608U0D
MT29E256G08CKCDB
PF966
MT29F16G08EAA
JS29F64G08AATE1
NX183
MT29F384G08EBCB
29F512G08EBHBF
KLUEG8UHDB
PF178
PFG25
PFF06
NX858
K9CFGY8S5A
TH58TEG8THLTA20
NQ308
NX375
NW286
PF027
PF785
PFG33
MT29F64G08CBABA
NW524
MT29F64G08CBABB
PF185
NW834
TH58NVG7H2HTAK0
PFB24
MT29F128G08CEEFB
H25T2TB88E
NX162
MT29F128G08CBCCB
MT29E512G08CKCB
NX685
TH58TFT1T23BAEF
PFB28
H27UAG8M2MYR
FH12808UCD1-23
NX448
PF198
NW429
SDTNRHAMA_016G
H9DA4GH4JJAM
TH58NVG7D2GTA20
PF718
NW784
PF120