闪存速度

推荐

闪存型号
H27UBG8T2MYR

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ADD7942544AD,ADD794254441

闪存单元
MLC

闪存制程
41nm

闪存类型
NAND

封装类型
LGA52

工作电压
VCC: 3.3V, VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1

闪存型号
H27UBG8T2MYR

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ADD7942544AD,ADD794254441

闪存单元
MLC

闪存制程
41nm

闪存类型
NAND

封装类型
LGA52

工作电压
VCC: 3.3V, VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
1