闪存速度
推荐
闪存型号
TH58TEG8DDKBA8C
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
32GB
CE数量
4
闪存ID
98DE949376D0
闪存单元
MLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
4
闪存型号
TH58TEG8DDKBA8C
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
32GB
CE数量
4
闪存ID
98DE949376D0
闪存单元
MLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
4
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NX828
PFB43
H27Q1T8QQM
TC58TVG4D2HTA00
PF889
FH16B08UCT1-8E
JS29F32G08FANC1
NX781
NW411
PFH02
NW855
NX700
NW725
PF930
MT29F256G08CECCB
NX171
NW320
NX812
NW327
NX893
PF022
K9HFGD8U5C
PFF17
NQ139
PF074
YMN06MB1B1AC1A
MT29F128G08CBCA
K9GBG08U0A
NW432
NW750
NX762
TH58TFT1T23BAEF
NX405
PF474
PFE06
PF471
MT29F256G08AMCAB
FW257
PFG91
NW945
MT29F32G08EBCAB
TC58NVG5T7FLA19
PF633
PF835
TH58TFT0DDLBA8H
nx805
NV012
NX316
NW743
PFF39