闪存速度

推荐

闪存型号
NX503

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
16GB

CE数量
1

闪存ID
2C84643CA904

闪存单元
MLC

闪存制程
20nm L85C

闪存类型
NAND

封装类型
BGA152

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
1

美光料号
MT29F128G08CBEBBH6-12ES:B

闪存型号
NX503

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
16GB

CE数量
1

闪存ID
2C84643CA904

闪存单元
MLC

闪存制程
20nm L85C

闪存类型
NAND

封装类型
BGA152

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
1

美光料号
MT29F128G08CBEBBH6-12ES:B