NX849 - Micron/镁光 - Flashinfo

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闪存型号

NX849

闪存品牌

Micron/镁光

闪存容量

256GB

CE数量

2

闪存ID

闪存单元

QLC

闪存制程

闪存类型

NAND

封装类型

BGA132

工作电压

VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式

同步模式

Die数量

2

美光料号

MT29F2T08GECAGJ4-5RES DO NOT USE

闪存型号

NX849

闪存品牌

Micron/镁光

闪存容量

256GB

CE数量

2

闪存ID

闪存单元

QLC

闪存制程

闪存类型

NAND

封装类型

BGA132

工作电压

VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

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2

美光料号

MT29F2T08GECAGJ4-5RES DO NOT USE

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更多料号

FNN25nmK3BAAWP-HP

TH58NVG8T2HTA20

TH58TFG9DDLTA2D

TC58NVG6TDKTA00

JS29F512G08EBHBF

SDTNNNAHSM_004G

TH58TEG9D2JBAS9