闪存速度
推荐
闪存型号
K9QFGY8S7M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
32GB
CE数量
8
闪存ID
ECA7A06A68C4
闪存单元
SLC
闪存制程
21nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
8
闪存型号
K9QFGY8S7M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
32GB
CE数量
8
闪存ID
ECA7A06A68C4
闪存单元
SLC
闪存制程
21nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
H27Q1T8PPM8R
FXXL95BB1KDV
SANDISK_7THL_2C4D
NX580
H27QBG8GDA
NQ391
PF137
PF29F32G16NCNC1
PF178
PF453
NX745
K9LBG08U0D
TT58G51ARA
05466-064G
SDTNQGBMA-016G
MT29E1T08CUCCB
PFG75
TC58TEG6DDJTAI0
29F64B2AMCMG4
H25BFT8A1M8R01
K9DVGB8J1A
MT29F256G08CEECB
K9UKGY8SCE
NW484
60524-512G
151117-064G
PFF11
PF147
NQ455
NW559
NW719
PFG85
K9F4G08U0F
SDWNRHCRM_064GUF
K9OUGD8H2M
K9GBGD8U0M
MT29F128G08CBCCB
TC58LJG9T24TA0D
TC58TAG6D2FTA20
PF276
PFH24
PF29F01T2ALCQJ1
TH58TEG9CDJBA89
NX835
NW583
NX152
NW466
PFF35
NW144