闪存速度

推荐

闪存型号
NW978

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
2CD38932E600, 2CD38932E601

闪存单元
TLC

闪存制程
B27B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 2.5V (2.35–3.60V), VCCQ: 1.2V (1.14–1.26V)

工作模式

Die数量
8

美光料号
MT29F4T08EULCEM4-T:C

闪存型号
NW978

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
2CD38932E600, 2CD38932E601

闪存单元
TLC

闪存制程
B27B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 2.5V (2.35–3.60V), VCCQ: 1.2V (1.14–1.26V)

工作模式

Die数量
8

美光料号
MT29F4T08EULCEM4-T:C