闪存速度

推荐

闪存型号
TH58TFT0WHLBAEF

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
128GB

CE数量
8

闪存ID
983A98A376D1

闪存单元
TLC

闪存制程
15nm/1z

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC: 2.7V-3.6V, VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
Toggle

Die数量
0

闪存型号
TH58TFT0WHLBAEF

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
128GB

CE数量
8

闪存ID
983A98A376D1

闪存单元
TLC

闪存制程
15nm/1z

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC: 2.7V-3.6V, VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
Toggle

Die数量
0