闪存速度

推荐

闪存型号
NV091

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
2TB

CE数量
4

闪存ID
2CF38A32E831

闪存单元
TLC

闪存制程
B58R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA154

工作电压
VCC: 2.5V , VCCQ: 1.2V

工作模式

Die数量
16

美光料号
MT29F16T08EWLCHD8-QJES:C

闪存型号
NV091

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
2TB

CE数量
4

闪存ID
2CF38A32E831

闪存单元
TLC

闪存制程
B58R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA154

工作电压
VCC: 2.5V , VCCQ: 1.2V

工作模式

Die数量
16

美光料号
MT29F16T08EWLCHD8-QJES:C