闪存速度
推荐
闪存型号
TH58TFT1W23BASH
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
983E99B37AF2
闪存单元
TLC
闪存制程
BICS3
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:3.3V/1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
8
闪存型号
TH58TFT1W23BASH
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
983E99B37AF2
闪存单元
TLC
闪存制程
BICS3
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:3.3V/1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PFA20
NW619
TH58TEG9DDJBAS9
H27U8G8T2B
PF294
PFB48
PFE24
NW134
THGVX1G8D4GLA08
PF254
PF496
PF771
NX668
NW579
PF174
PF217
NQ306
NX491
MT29F64G08CFABA
PF863
K9HHGY8S5A
PF741
NX530
PF309
TH58NVG7H2HTAK0
TH58TEG8TDKTA20
NX608
PF666
MT29E256G08CMCDB
PFB60
TH58TVG6T2HBA4C
K9GAGD8U0F
NW350
MT29F128G08CBECB
NX324
PF676
NW794
PF673
H27QFGDPEM5R
NW635
PF032
NW427
29F04T2AWCMG2
PF910
K9UHG08U8M
PFH39
TC58TEG8DDKTA20
NX674
PFA19
K9LCG08U0B