闪存速度

推荐

闪存型号
K9WBG08U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID
ECD551A60680

闪存单元
SLC

闪存制程
50nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
4

闪存型号
K9WBG08U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID
ECD551A60680

闪存单元
SLC

闪存制程
50nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
4