闪存速度

推荐

闪存型号
H27QDG8VEBIR

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
16GB

CE数量
4

闪存ID
ADE794DA74C3

闪存单元
MLC

闪存制程
26nm

闪存类型
NAND

封装类型
VFBGA-100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4

闪存型号
H27QDG8VEBIR

闪存品牌
SKhynix/海力士

闪存容量
16GB

CE数量
4

闪存ID
ADE794DA74C3

闪存单元
MLC

闪存制程
26nm

闪存类型
NAND

封装类型
VFBGA-100

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
4