闪存速度

推荐

闪存型号
K9DUGB8SJM

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
2

闪存ID
EC119B2F8EC9

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16

闪存型号
K9DUGB8SJM

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
2

闪存ID
EC119B2F8EC9

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16