闪存速度

推荐

闪存型号
K9PMGY8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
EC1C945364C9

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

闪存型号
K9PMGY8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
EC1C945364C9

闪存单元
MLC

闪存制程
SSV3

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8