闪存速度

推荐

闪存型号
NW850

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
7

闪存ID

闪存单元
TLC

闪存制程

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
11

美光料号
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B

闪存型号
NW850

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
7

闪存ID

闪存单元
TLC

闪存制程

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
11

美光料号
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B