闪存速度
推荐
闪存型号
K9DVGY8J5M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
EC519A3F8CCB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V
工作模式
Toggle
Die数量
16
闪存型号
K9DVGY8J5M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
EC519A3F8CCB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V
工作模式
Toggle
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
K9DVGY8J5B
K9LCGY8U1B
29F04T4AWCTH2
PF29F02T4AOCTH2
PF800
PF729
NW373
NC012
MT29F256G08CJAAA
NW651
PF29F16B08LCMF1
NQ352
NW413
NX502
NW930
PF419
NW329
NQ428
NX619
PFB58
K9UKGY8UCA
PF062
NX692
MT29F64G08EBAAA
PF585
PFF58
K9KBG08U1M
K9DMGY8SCE
FNNL84CNAK3BAAJ4-HP
PF425
PF149
PF468
NW195
TC58TAG6D2FTA20
PF310
NW635
NX600
NX841
K9OKGY8S8F
K9HCG08U5D
PF29F16B08MCMF2
PF758
PFF72
NW706
PF29F64B08OCME1
H27UBG8T2MYR
NQ280
PF841
NX515
NX830