闪存速度
推荐
闪存型号
H25QFTMG4A9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
AD5E2A221090
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA152
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式
Die数量
16
闪存型号
H25QFTMG4A9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
AD5E2A221090
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA152
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PFC61
NY112
NX583
PFA29
PF497
PF055
NX425
PF493
PFH05
PFA30
PFB54
PF779
PF656
MT29H8G08ACA
TC58NVG6T7FLA19
TH58TFT1T23BA8H
PF140
NW201
PFF59
NW203
H27QDG8D2C8R
NX809
SDTNRGAMA_008GP
NX849
K9PMGY8S7M
MT29F512G08EBLDE
NW593
NX682
PFB26
PF751
NW557
PFF27
NQ453
PFG06
NW703
TH58TVG7D2HBA4C
PF517
29F16B08MCMFH
NQ327
SANDISK_15NM
PF838
H27UCG8T2DLR
JS29F32G08AAMDA
NW224
PF489
MT29F256G08CJABB
NX553
NW822
NX871
NW347