闪存速度

推荐

闪存型号
K9PKGY8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
128GB

CE数量
8

闪存ID
EC1A94A664C7

闪存单元
3D MLC

闪存制程
20nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ:1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

闪存型号
K9PKGY8S7M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
128GB

CE数量
8

闪存ID
EC1A94A664C7

闪存单元
3D MLC

闪存制程
20nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ:1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8