闪存速度

推荐

闪存型号
K9CMGY8J5M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
EC5E983F84CB

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V

工作模式
Toggle

Die数量
4

闪存型号
K9CMGY8J5M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
EC5E983F84CB

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V

工作模式
Toggle

Die数量
4