闪存速度

推荐

闪存型号
K9CFGD8U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
32GB

CE数量
2

闪存ID
EC3AD9CE78C3

闪存单元
TLC

闪存制程
27nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
4

闪存型号
K9CFGD8U1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
32GB

CE数量
2

闪存ID
EC3AD9CE78C3

闪存单元
TLC

闪存制程
27nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
4