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闪存型号
K9GBG08U0B
filter_2
闪存品牌
Samsung/三星
filter_3
闪存容量
4GB
filter_4
CE数量
1
filter_5
闪存ID
ECD7947E6444
filter_6
闪存单元
MLC
filter_7
闪存制程
21nm
filter_8
闪存类型
NAND
filter_9
封装类型
TSOP48
filter_1
工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V
filter_2
工作模式
异步模式
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Die数量
1
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闪存型号
K9GBG08U0B
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闪存品牌
Samsung/三星
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闪存容量
4GB
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CE数量
1
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闪存ID
ECD7947E6444
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闪存单元
MLC
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闪存制程
21nm
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闪存类型
NAND
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封装类型
TSOP48
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VCC/VCCQ: 3.3V
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工作模式
异步模式
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