闪存速度

推荐

闪存型号
K9ABGD8U0B

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ECD798CE74C3

闪存单元
TLC

闪存制程
27nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
1

闪存型号
K9ABGD8U0B

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
1

闪存ID
ECD798CE74C3

闪存单元
TLC

闪存制程
27nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
同步模式

Die数量
1