闪存速度

推荐

闪存型号
NX858

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
1

闪存ID
2CC30832E600

闪存单元
TLC

闪存制程
3D B27B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
1

美光料号
MT29F512G08EBLCEJ4-RES:C

闪存型号
NX858

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
64GB

CE数量
1

闪存ID
2CC30832E600

闪存单元
TLC

闪存制程
3D B27B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
1

美光料号
MT29F512G08EBLCEJ4-RES:C