闪存速度

推荐

闪存型号
NX747

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
144GB

CE数量
3

闪存ID
2CB47832AA04

闪存单元
TLC

闪存制程
B0KB

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
3

美光料号
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B

闪存型号
NX747

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
144GB

CE数量
3

闪存ID
2CB47832AA04

闪存单元
TLC

闪存制程
B0KB

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
3

美光料号
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B