闪存速度

推荐

闪存型号
TH58TFT1DFKLAVH

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
983CA5937E50

闪存单元
MLC

闪存制程
A19nm

闪存类型
NAND

封装类型
LGA60(SAT)

工作电压
VCC3.3:V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Legacy to Toggle

Die数量
16

闪存型号
TH58TFT1DFKLAVH

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
983CA5937E50

闪存单元
MLC

闪存制程
A19nm

闪存类型
NAND

封装类型
LGA60(SAT)

工作电压
VCC3.3:V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Legacy to Toggle

Die数量
16