闪存速度

推荐

闪存型号
TH58TEG6H2HBA4C

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
8GB

CE数量
2

闪存ID
98D7A03276D6

闪存单元
SLC

闪存制程
24nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2

闪存型号
TH58TEG6H2HBA4C

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
8GB

CE数量
2

闪存ID
98D7A03276D6

闪存单元
SLC

闪存制程
24nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2