闪存速度

推荐

闪存型号
NY340

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
1TB

CE数量
4

闪存ID
2CE38932E830

闪存单元
TLC

闪存制程
B58R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
NV-DDR3

Die数量
8

美光料号
MT29F8T08EQLCHL5-QU:C

闪存型号
NY340

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
1TB

CE数量
4

闪存ID
2CE38932E830

闪存单元
TLC

闪存制程
B58R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
NV-DDR3

Die数量
8

美光料号
MT29F8T08EQLCHL5-QU:C