闪存速度
推荐
闪存型号
NY134
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
2CD38932EA30, 2CD38932EA31
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
TBGA132
工作电压
VCC:2.5V, VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
美光料号
MT29F4T08EULEEM4-QA:E
闪存型号
NY134
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
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闪存单元
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封装类型
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