闪存速度
推荐
闪存型号
NY122
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
2CE38A32EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA252
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
16
美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E
闪存型号
NY122
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
1TB
CE数量
4
闪存ID
2CE38A32EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA252
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
16
美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PFF82
H27Q1T8YQB3R
K9PDG08U5M
K9AHGD8H0M
TT58G5OASA
H27QBG8GDA
NX301
PFE24
NW530
PF694
MT29F256G08CUABA
FT64G08UCT1
PFB57
PFH51
SDYNQGCMM_032G
NX210
PF269
PF146
NW760
PF29F64G08LCMFS
PF263
NQ410
PF506
PF627
PF303
PF347
MT29F128G08AJABA
NW153
MT29F32G08AFABA
PF797
NW234
NW157
NW630
MT29F256G08CKCDB
PF795
NX640
NX840
TH58TEG8DDKTA80
NX759
NW944
PF317
NQ448
MT29F32G08CBABB
PF161
PF247
NW223
PF565
FX270
MT29F256G08CJABA
15127-128G