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闪存型号
NY122
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闪存品牌
Micron/镁光
filter_3
闪存容量
1TB
filter_4
CE数量
4
filter_5
闪存ID
2CE38A32EA30
filter_6
闪存单元
TLC
filter_7
闪存制程
B47R
filter_8
闪存类型
NAND
filter_9
封装类型
BGA252
filter_1
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
filter_2
工作模式
NV-DDR3
filter_3
Die数量
16
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美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E
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闪存型号
NY122
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闪存品牌
Micron/镁光
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闪存容量
1TB
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CE数量
4
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闪存ID
2CE38A32EA30
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闪存单元
TLC
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闪存制程
B47R
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闪存类型
NAND
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封装类型
BGA252
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工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
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工作模式
NV-DDR3
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Die数量
16
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美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E
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