闪存速度

推荐

闪存型号
NY122

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
1TB

CE数量
4

闪存ID
2CE38A32EA30

闪存单元
TLC

闪存制程
B47R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
NV-DDR3

Die数量
16

美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E

闪存型号
NY122

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
1TB

CE数量
4

闪存ID
2CE38A32EA30

闪存单元
TLC

闪存制程
B47R

闪存类型
NAND

封装类型
BGA252

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V

工作模式
NV-DDR3

Die数量
16

美光料号
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E