闪存速度
推荐
闪存型号
NY119
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA252
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
闪存型号
NY119
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
2CC30832EA30
闪存单元
TLC
闪存制程
B47R
闪存类型
NAND
封装类型
BGA252
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.2V
工作模式
NV-DDR3
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NW617
MT29F64G08TAA
FBML85C71KDBAB
MT29F256G08AKCBB
PF128
H27QDG8D2B
K9F5608U0D
NX582
PFD06
NW854
NX468
H2DTDG8UD1M
TC58TEG7THLTA00
PF657
PF777
H27QEG8M3M8R
K9QDG08U7M
SDTNRCAMA_008G
151117-064G
NW524
PF220
NW325
NW643
PFH16
UNN9GTE1B1DEB1
SDTNMNAHSM_002G
MT29F64G08UAA
SDQDIDMB-512G
TH58TEG7D2HTA20
TC58NVG5D2HTA00
05560-512G
NW270
NX364
K9HCG08U5M
NX888
PF156
NX647
PF471
NQ326
05136-032G
PF955
NW381
PF281
K9DUGB8S1M
PF885
PF762
PF640
H27TDG8T2D8R
K9LCG08U0A
NX556