闪存速度

推荐

闪存型号
NX784

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
8

闪存ID
2CC4E532AA04

闪存单元
MLC

闪存制程
L06B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16

美光料号
MT29F4T08CTHBBM5-3DES:B

闪存型号
NX784

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
512GB

CE数量
8

闪存ID
2CC4E532AA04

闪存单元
MLC

闪存制程
L06B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16

美光料号
MT29F4T08CTHBBM5-3DES:B